声明

本文是学习GB-T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们

1 范围

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。

本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照

执行。

2 牌号分类

按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类，牌号中涉及的字母

含义参见附录 A。

3 牌号表示方法

3.1 多晶牌号

3.1.1 多晶的牌号表示为：

style="width:4.14007in;height:2.62658in" />P

-5

-4

--3

2

其中：

1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项。

3.1.2 牌号的第一项中第1位 P 表示多晶，后几位用分子式表示多晶名称，如硅
Si、锗 Ge 等。

3.1.3
牌号的第二项表示多晶的生产方法，用英文第一个字母的大写形式表示，其中：

a) T 表示三氯氢硅法；

b) S 表示硅烷法；

c) R 表示还原法；

d) Z 表示区熔法；

e) F 表示流化床法；

f) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。

3.1.4 牌号的第三项表示多晶的形状，用英文第一个字母的大写形式表示，其中：

a) I 表示棒状；

b) C 表示块状；

c) G 表示颗粒状；

d) 其他多晶形状表示形式参照以上方法进行。

3.1.5 牌号的第四项表示多晶产品的等级，用阿拉伯数字或英文字母表示。

GB/T 14844—2018

3.1.6
牌号的第五项表示多晶的特殊用途，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中：

a) E 表示电子级用途；

b) S 表示太阳能级用途；

c) IR 表示红外光学用途；

d) 其他用途表示形式参照以上方法进行。

3.1.7
若多晶产品不强调生产方法、用途或形状等，其牌号相应部分可省略，省略部分用N/A
表示。

3.1.8 多晶的牌号表示见示例1～示例4。

示例1:PSi-T- I-1-E 表示三氯氢硅法生产的一级棒状电子级多晶硅。

示例2:PSi-N/A-C-1-N/A 表示一级块状多晶硅。

示例3: PGe-Z-N/A- 1-N/A 表示一级区熔锗锭。

示例4:PGe-R-N/A-1-N/A 表示一级还原锗锭。

3.2 单晶牌号

3.2.1 单 晶 的 牌 号 表 示 为 ：

style="width:3.43993in;height:2.23344in" />

其中：

1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。

注：太阳能铸锭法多晶或类单晶参照单晶的牌号表示方法。

3.2.2 牌号的第一项用分子式表示单晶的名称，如硅单晶 Si、砷化镓单晶
GaAs、 碳化硅单晶 SiC、锗单 晶 Ge、锑化铟单晶 InSb、磷化镓单晶 GaP
和磷化铟单晶 InP 等。

3.2.3
牌号的第二项表示单晶的生产方法，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中：

a) CZ 表示直拉法；

b) FZ 表示悬浮区熔法；

c) HB 表示水平法；

d) LEC 表示液封直拉法；

e) MCZ 表示磁场拉晶法；

f) C 表示铸锭法；

g) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。

3.2.4 牌号的第三项中用N 或 P
表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。例如 N 型导电类型掺 杂元素有磷
P、锑 Sb、砷 As,P 型导电类型掺杂元素有硼 B, 中子嬗变掺杂法用 NTD
表示，区熔气相掺 杂用FGD 表示等。

3.2.5
牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向\<111>、\<100>和\<110>等。

3.2.6
若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用N/A
表示。

3.2.7 单晶的牌号表示见示例1～示例4。

示例 1: Si-CZ-P(B)-\<100> 表示晶向为\<100)的P 型掺硼直拉硅单晶。

示例2: Si-FZ-N(N/A)-\<111> 表示晶向为\<111>的 N
型悬浮区熔硅单晶。

示例3: GaAs-HB-N(Si)-\<100> 表示晶向为\<100>的 N
型掺硅水平砷化镓单晶。

示例4: GaAs-LEC-(N/A)(Cr+O)-(100)
表示晶向为\<100)掺铬和氧的液封直拉砷化镓单晶。

GB/T 14844—2018

3.3 晶片牌号

3.3.1 晶片的牌号表示为：

style="width:3.89998in;height:2.60656in" />() 〈>

5

-4

-3

-2

其中：

1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项。

3.3.2 牌号的第一项用分子式表示晶片的名称，如硅片 Si、砷化镓片GaAs、
碳化硅片 SiC、锗片 Ge、锑 化铟片 InSb、磷化镓片 GaP 和磷化铟片 InP 等。

3.3.3 牌号的第二项表示晶片的生产方法，其表示方法同3.2.3。

3.3.4
牌号的第三项表示晶片种类，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中：

a) CW 表示切割片；

b) LW 表示单面研磨片；

c) DLW 表示双面研磨片；

d) EtW 表示腐蚀片；

e) PW 表示单面抛光片；

f) DPW 表示双面抛光片；

g) DW 表示扩散片；

h) AW 表示退火片；

i) SCW 表示太阳能切割片；

j) 其他晶片种类表示形式参照以上方法进行。

3.3.5 牌号的第四项中用N 或 P
表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。例如 N 型导电类型掺
杂元素有磷P、锑 Sb、砷 As,P 型导电类型掺杂元素有硼 B, 中子嬗变掺杂用NTD
表示，区熔气相掺杂 用FGD 表示等

3.3.6
牌号的第五项用密勒指数表示晶向，如晶向\<111>、\<100>和\<110>等。

3.3.7
若晶片不强调晶体生产方法，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用
N/A 表示。

3.3.8 晶片的牌号表示见示例1～示例2。

示 例 1: Si-CZ-PW-N(Sb)-\<111> 表示晶向为\<111>的 N 型 掺 锑
直 拉 硅 单 晶 单 面 抛 光 片 。

示例2:Si-FZ-DLW-N(NTD)-\<111) 表示晶向为\<111)的 N
型中照悬浮区熔硅单晶双面研磨片。

3.4 外延片牌号

3.4.1 外延片的牌号表示为：

style="width:3.45331in;height:2.24664in" />

GB/T 14844—2018

其中：

1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。

3.4.2 牌号的第一项用分子式表示外延片的名称，如硅外延片
Si、砷化镓外延片 GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片
Ge、锑化铟外延片InSb、 磷化镓外延片 GaP 和磷化铟外延片 InP 等 。

3.4.3
牌号第二项表示外延片的生产方法，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中：

a) VPE 表示气相外延；

b) LPE 表示液相外延；

c) MBE 表示分子束外延；

d) MOCVD 表示金属有机化合物化学气相沉积。

3.4.4
牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示衬底掺杂剂，如掺磷
P、掺锑 Sb、掺 砷 As、掺硼B 等。其中：

a) n/n 表示在 n⁺ 型衬底上生长 N 型外延层；

b) p/p+ 表示在 p+ 型衬底上生长P 型外延层；

c) n/p ( 或 p/n) 表示在 P 型(或 N 型)衬底上生长导电类型相反的外延层；

d) n/I(或 p/I)表示在绝缘衬底上生产N 型(或 P 型)外延层；

e) n/p/n 表示在 N 型衬底上先生长 P 型外延层，再生长 N
型外延层，其他多层外延片结构的表 示方法以此类推；

f) n/SI 表示在半绝缘衬底上生产N 型外延层。

3.4.5
牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向\<111>、\<100>和\<110>等。

3.4.6 外延片的牌号表示见示例1～示例2。

示 例 1 :Si-VPE-n/n+(Sb)-\<100>
表示晶向\<100>的衬底为重掺锑外延层掺磷的 N 型 气 相 硅 外 延 片 。

示 例 2: GaAs-LPE-n/n+(Te)-\<100>
表示晶向\<100)的衬底掺碲的 N 型 液 相 砷 化 镓 外 延 片 。

GB/T 14844—2018

附 录 A

(资料性附录)

半导体材料牌号中字母表示方法

半导体材料牌号中字母表示方法见表A.1。

表 A.1 半导体材料牌号中字母表示方法

GB/T 14844—2018

表 A.1 (续)

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